Rain科技8月10日消息，SK海力士董事会近日批准了一项约54.3万亿韩元（约2590亿元人民币）的新工厂建设计划，用于京畿道龙仁Y2和清州M17两座晶圆厂。
其中Y2为DRAM基地，投资35.2万亿韩元（约1679亿元人民币），M17为NAND基地，投资19.1万亿韩元（约911亿元人民币）。
以上金额仅覆盖厂房建设，Y2的设备投资后续可能高达120万亿韩元（约5724亿元人民币），总投入将突破150万亿韩元（约7155亿元人民币）。
对于近期关注过内存价格的消费者来说，这么大笔的投入很容易产生“产能够用，内存涨价快到头了”的错觉，但答案并非如此。从历史经验看，半导体工厂从建设到真正量产通常需要3至5年，当前投资要到2028年后才能转化为实际产能，远水难解近渴。
M17首批无尘室计划2028年12月启用，Y2甚至到2027年7月才破土动工，首批无尘室要到2029年6月才启用。无尘室启用仅意味着开始设备安装和验证，并非开始出货。
SK海力士在公告中还有一句话：公司将按总体规划建设厂房，但无尘室扩建和设备安装将根据需求趋势分阶段推进，以最大化资本效率。换言之，厂房先盖，但金额远更大的设备投入要等需求确认后才跟进。这种策略进一步拉长了产能释放周期，短期内供给难以增加。
产品结构同样对普通消费者不利，Y2将生产HBM等下一代DRAM，而HBM的产能挤占正是DDR5被赶出晶圆厂的根本原因。SK海力士目前约30%的DRAM晶圆产能用于HBM，分析师预计这一比例到2027年将接近40%。HBM作为AI芯片关键配套，利润率远高于普通DDR5，因此优先扩张HBM是商业上的理性选择，但也直接导致DDR5供应持续紧张。
SK海力士自身也将此轮投资称为结构性转型而非临时性超级周期，并引用Omdia的预测数据称DRAM和NAND到2030年将保持年均19%的增长。这意味着在AI与云计算驱动下，未来数年内存需求仍会维持高位，供需平衡可能长期偏紧，消费者恐怕很难看到价格快速回落。
