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  • 365TBHBM4e内存:2027年NV顶级GPU平台的价格挑战

    内存价格恐难下降,预计2026年达到峰值,2027年维持高位,2028年继续上涨。主要原因是AI市场对HBM内存需求激增,内存厂商转而生产高利润的HBM,导致消费级内存供不应求。2027年NVIDIA新AI平台将消耗巨量HBM内存,加剧供应紧张。

    2025年 12月 20日
  • G.Skill 提醒:购内存前宜权衡价格

    芝奇官方罕见声明,指出DDR5内存价格疯涨,并直言建议消费者“审慎考虑”购买。疯涨主因在于AI行业爆发式需求驱动的全球性DRAM供应短缺。芝奇自身采购成本飙升,零售价变动正是行业成本上涨的反映。

    2025年 12月 19日
  • 美光:增产难解过半DRAM供需缺口

    美光首财季营收超预期,DRAM和NAND创历史新高,AI需求强劲。尽管大力扩产,包括新建晶圆厂,美光CEO仍预计2026年后DRAM供应短缺将持续,且产能扩张也仅能满足核心客户一半至三分之二的需求。

    2025年 12月 18日
  • 32GB DDR5天价售5900元,溢价8倍堪比RTX 5070

    内存价格飙升,部分奸商炒作至原价8倍,32GB DDR5套条售价高达5900元,堪比RTX 5070显卡。品牌及零售平台趁机哄抬,高价内存仍有买家。此轮涨价已影响OEM、SI厂商及部分整机售价,短期内“AI泡沫”难破。

    2025年 12月 12日
  • 三星内存暴涨,DRAM市场榜首在望

    全球内存价格暴涨,三星凭借传统DRAM产品价格上涨及HBM技术追赶,预计第四季度营收有望超越SK海力士,重夺DRAM市场龙头地位。其半导体部门利润大增,大幅超出市场预期。

    2025年 12月 8日
  • 三星削减HBM3E产能,押注1b nm制程以求利润最大化

    三星正计划削减30%-40%的1a nm HBM3E内存产能,转而扩大1b nm制程的DDR5、LPDDR5x等通用内存产量,旨在最大化整体获利。此举背景是通用内存价格飙升,且1b nm制程的盈利能力已超越1a nm。预计此举将显著提升三星整体盈利。

    2025年 12月 3日
  • 内存暴涨,主板销量雪崩

    近期DDR5内存价格暴涨2至4倍,迫使用户推迟装机和升级计划,导致主板销量同比下降40%-50%,其中华硕、技嘉、微星等厂商受创严重。尽管临近年底促销季,内存价格上涨趋势已逆转,迫使用户等待或妥协,CPU销量也因此受到直接影响。

    2025年 12月 1日
  • SK海力士展示256GB新一代DDR5内存

    SK海力士在SC25超算大会上展示了多款新一代DDR5内存,包括采用1cnm工艺的64GB RDIMM,以及96GB 1bnm RDIMM。特别引人注目的是3DS DDR5 RDIMM和DDR5 Tall MRDIMM,均可达256GB单条容量,前者专为AI优化,后者适合高性能机架,最大速率达12800Mbps。

    2025年 11月 28日
  • 内存市场恐慌性购入:华硕、微星等厂商疯狂扫货

    受数据中心建设需求驱动,全球DRAM市场面临严重短缺,已引发制造商和客户恐慌性购买。预计短缺持续至2027年,内存价格将高位运行。此前DRAM产业下行导致产能削减,AI热潮突增需求,供应链调整尚需时日。此次短缺将推高PC等消费电子产品售价。

    2025年 11月 16日
  • Over 100% Price Surge! Japan Implements Full Purchase Limits on Memory, SSDs, and HDDs

    As of early November, computer accessory stores in Akihabara, Japan, have begun implementi…

    2025年 11月 9日