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三星电子和SK海力士计划在第二季度大幅上调DRAM价格，部分中小客户为确保供应，可能需接受价格翻倍以上的涨幅。DDR5颗粒价格也可能上涨40%。此轮涨价由供需缺口扩大和卖方市场驱动，大规模提价已不可避免。

内存价格自去年4月起疯涨，DDR4和DDR5均受影响，DDR4 8Gb颗粒价格已创历史新高。尽管Q1 PC内存价格大涨，未来涨势有望趋缓并稳定。然而，SSD闪存价格仍在持续上涨，预计下半年供需失衡将持续，短期内SSD价格难企稳。

2月，DRAM和NAND芯片价格同步上涨，DRAM创历史新高，NAND飙升超33%。AI热潮导致通用存储产品短缺。DRAM价格预计短期见顶趋于稳定，而NAND价格有望继续上涨，下半年仍将供不应求。

2025年第四季度，DRAM产业营收激增至535.8亿美元，环比增长29.4%，主要得益于供需缺口扩大导致价格大幅上涨。三星凭借40%的售价增长和HBM业务驱动，以36.0%的市场份额重夺DRAM厂商首位。展望2026年第一季度，尽管出货量增幅可能放缓，但价格预计将继续攀升，Contract DRAM合约价有望上涨90%-95%。

内存厂商因AI需求迎来巨额利润，SK海力士利润预期飙升。然而，SK集团董事长崔泰元警告AI需求具有不确定性，可能导致巨额亏损。三大巨头因此谨慎增产，担忧AI泡沫破裂。国产内存厂商的加入预示着未来市场格局可能改变。

SK海力士表示，全球存储器产业已转向卖方市场，AI需求爆发和供应端限制导致DRAM、NAND库存紧张。HBM产能已售罄，标准型DRAM短缺推升供应商议价权，长期合约谈判已开启。公司预计今年存储芯片价格将持续上涨，涨势贯穿全年。

受AI数据中心建设热潮驱动，DRAM需求激增，但产能有限导致市场持续供不应求，价格飙升。主要原厂为最大化利益，将产能转向HBM，进一步加剧消费类DRAM紧缺。专家预测，除非AI领域出现重大崩盘，否则新增产能及技术需数年才能匹配需求，DRAM短缺和涨价态势恐延续至2028年，甚至更久。NAND Flash市场也面临类似困境，SSD价格飙涨，2026年可能翻倍。

英特尔携手软银研发下一代内存ZAM，有望实现AI和高性能计算的低成本、大容量、高带宽需求。该技术基于英特尔下一代内存键合计划NGDB，目标在2029财年实现量产。ZAM内存或为HBM技术的低成本演进版，可能继承傲腾内存的优点，以满足AI数据中心的发展需求。

内存市场价格已疯涨数月，预计缺货将持续至2030年。下游厂商已签订锁量不锁价的长期供货合约。尽管内存厂商通过削减产能提振价格，但AI需求是否可持续仍存疑，若AI泡沫破裂，内存行业将面临周期性调整。

内存芯片超级牛市推动DRAM与NAND闪存价格上涨，智能手机行业面临巨大冲击。多家手机品牌已上调新机售价，部分厂商考虑下调全年生产目标。由于库存累积且市场接受度下降，预计第二季度起出货节奏将放缓，TrendForce下调2026年智能手机产量预估7%。