#DRAM

受AI数据中心建设热潮驱动，DRAM需求激增，但产能有限导致市场持续供不应求，价格飙升。主要原厂为最大化利益，将产能转向HBM，进一步加剧消费类DRAM紧缺。专家预测，除非AI领域出现重大崩盘，否则新增产能及技术需数年才能匹配需求，DRAM短缺和涨价态势恐延续至2028年，甚至更久。NAND Flash市场也面临类似困境，SSD价格飙涨，2026年可能翻倍。

英特尔携手软银研发下一代内存ZAM，有望实现AI和高性能计算的低成本、大容量、高带宽需求。该技术基于英特尔下一代内存键合计划NGDB，目标在2029财年实现量产。ZAM内存或为HBM技术的低成本演进版，可能继承傲腾内存的优点，以满足AI数据中心的发展需求。

内存市场价格已疯涨数月，预计缺货将持续至2030年。下游厂商已签订锁量不锁价的长期供货合约。尽管内存厂商通过削减产能提振价格，但AI需求是否可持续仍存疑，若AI泡沫破裂，内存行业将面临周期性调整。

内存芯片超级牛市推动DRAM与NAND闪存价格上涨，智能手机行业面临巨大冲击。多家手机品牌已上调新机售价，部分厂商考虑下调全年生产目标。由于库存累积且市场接受度下降，预计第二季度起出货节奏将放缓，TrendForce下调2026年智能手机产量预估7%。

俄罗斯玩家VIK-on成功利用笔记本拆机的SO-DIMM DDR5芯片，以约218美元的成本自制了一根32GB DDR5台式机内存，价格仅为市售DDR5内存的1/3到一半。该内存通过刷入威刚固件，启用了DDR5-6400 CL32 XMP配置文件，且在游戏测试中运行稳定。

2025年AI热潮推升存储芯片价格，手机厂商面临压力。若终端售价不涨，明年恐将亏损。分析师预测，明年旗舰手机价格将继续上调，安卓与苹果产品价差缩小，可能促使部分消费者转向苹果。华为Mate 80降价策略给其他安卓厂商带来更大竞争压力。因存储芯片持续涨价，2026年全球智能手机及笔记本电脑出货量预测被下调。

美光首财季营收超预期，DRAM和NAND创历史新高，AI需求强劲。尽管大力扩产，包括新建晶圆厂，美光CEO仍预计2026年后DRAM供应短缺将持续，且产能扩张也仅能满足核心客户一半至三分之二的需求。

全球内存价格暴涨，三星凭借传统DRAM产品价格上涨及HBM技术追赶，预计第四季度营收有望超越SK海力士，重夺DRAM市场龙头地位。其半导体部门利润大增，大幅超出市场预期。

内存市场价格暴涨，DDR4和DDR5均出现明显涨幅。此轮涨价由AI服务器需求增加、上游原材料成本上涨以及渠道囤货等因素共同推动。即使双11促销，目前也不建议普通消费者购买内存条，建议等待市场泡沫破裂。

AI需求爆发驱动存储芯片市场出现前所未有的全面缺货与涨价潮。HBM等高阶产品优先获利，导致DDR4等旧制程产品供应紧缺，涨价范围扩散至整个市场。存储原厂暂停报价，终端产品如手机价格也随之上调。国内厂商积极囤货、调涨价格，并加速布局HBM、先进封装等高附加值领域，迎接结构性景气新时代。