Rain科技6月7日消息，据国外媒体报道称，近日ASML CEO接受媒体采访时表示，中国早已研发国产光刻设备。
在这位CEO看来，尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走，但美国出台的打压措施只会适得其反，让中国“更努力取得成功”。他还称，与其打压中国等竞争对手，不如将注意力放在创新上。这一表态，既体现了一定的客观性，也多少反映了ASML的复杂心态。毕竟，市场竞争的核心驱动力是技术创新，而非人为的限制。
“中国已经开始研发一些国产光刻设备，尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走，但你试图阻止的人会更加努力地取得成功。”这句话一方面肯定了中国在光刻技术领域的进步，另一方面也暗示了外部压力可能会加速中国在该领域的自主研发进程。从历史经验来看，封锁往往难以阻止技术的传播和发展，反而会激发被封锁方的创新活力。
在这之前，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。这一成果无疑是中国在高端制造领域取得的一项重要突破，为国产光刻机的发展奠定了坚实的基础。值得注意的是，DUV光刻并非只能用于生产3nm芯片，通过多重曝光等技术，也可以用于生产更先进的制程芯片，这大大增加了DUV光刻的应用范围。
中国科学院的这种技术最终获得的激光平均功率为70mW，频率为6kHz，线宽低于880MHz，半峰全宽(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一纳米)，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。这些参数表明，中国科学院的科研成果在某些关键指标上已经达到了国际先进水平。
基于此，甚至可用于3nm的工艺节点。这为中国半导体产业摆脱对国外技术的依赖提供了新的可能性。
这种设计可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对于稀有气体的依赖，并大大降低能耗。这对于降低光刻机的使用成本，提高生产效率具有重要意义。此外，减少对稀有气体的依赖，也有助于提升光刻机供应链的稳定性。
相关技术已经在国际光电工程学会(SPIE)的官网上公布。这种全固态DUV光源技术虽然在光谱纯度上已经和商用标准相差无几，但是输出功率、频率都还低得多。这表明，中国在DUV光源技术方面仍然面临一些挑战，需要持续投入研发。
对比ASML的技术，频率赢达到了约2/3，但输出功率只有0.7％的水平，因此仍然需要继续迭代、提升才能落地。从实验室成果到商业化应用，往往需要经历一个漫长的过程。需要克服诸如稳定性、可靠性、成本控制等一系列问题。
